2016年3D V-NAND市场扩大10倍　三星拉大差距

发布于：2015/4/30 0:00:00 | 12353 次阅读

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　　在存储器芯片市场上，垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大，企业间的竞争也将渐趋激烈。
　　据韩国MT News报导，2016年前3D V-NAND市场规模预估将扩大10倍，而除目前独占市场的三星电子(Samsung Electronics)外，也将有更多半导体厂加速生产V-NAND。三星独大V-NAND市场，为拉大与后起业者的差距，生产产品将从目前的32层堆叠结构，增加到48层。
　　外电引用市调机构IHS iSuppli资料指出，以NAND Flash的技术分类，V-NAND占比将从第2季2.9%，在年底提升到7.4%，2016年第4季时预估将增加到29.6%，在1年半的时间内扩大约10倍。
　　V-NAND市场迅速成长，2017年将挤下目前占市场比重97%平面TLC或MLC NAND Flash，以41.2%成为主要产品。2019年V-NAND将以77.2%市占率掌握市场。因技术难度高，目前V-NAND虽然只应用在伺服器用产品等高阶市场，但未来将会迅速往移动装置用市场扩散。
　　3D V-NAND比起平面NAND，处理速度快2倍、耐久性快10倍、生产效益高2倍、耗电量也减少一半。TLC更容易实现高容量化，且重量和体积都大幅缩减。目前三星和日系大厂东芝(Toshiba)都有生产TLC NAND，而V-NAND市场则由三星独占。
　　V-NAND市场规模扩大，半导体大厂也加速展开移动。继三星之后，NAND Flash市场二哥东芝计划在2015年下半投入48层堆叠V NAND生产。美光(Micron)和英特尔(Intel)决定携手共同研发3D NAND，三星日前则公开较128Gb TLC容量提高3倍的384Gb TLC技术。
　　SK海力士(SK Hynix)计划2015年第3季开始生产36层堆叠MLC V-NAND。2014年底SK海力士完成研发24层结构V-NAND技术，在2015年底将推出48层TLC V-NAND，正式加入V-NAND竞局。
　　三星2013年8月成功生产24层结构MLC V-NAND，开启3D NAND市场后，2014年10月开始量产32层128Gb TLC V-NAND。三星为生产48层产品，已完成相当的准备作业。在最终检验完成后，将较其他竞争企业提早6~7个月，投入48层TLC V-NAND量产。
　　东芝等半导体大厂正展开追即，然三星暂时可维持技术差距。韩国半导体业者表示，技术研发、样品生产等与实际投入量产时差很大。在量产前一刻若发现问题，将使计划推迟一段时间，因此要到其他半导体大厂投入生产，才能看出其追击能力。
　　另一方面，正逐渐取代传统硬碟(HDD)的固态硬碟(SSD)，也将扩大搭载3D V-NAND。报导称，2015年V-NAND SSD占市场比重约2~3%，之后将持续扩大，2017年17~19%、2018年31~35%、2019年45~55%等。
　　三星2014年在SSD市场的占有率以34%位居，与市占率17%、排名第二名的英特尔差距达2倍。韩国半导体业者表示，在V-NAND技术方面三星较为，在SSD市场上可能也将持续占有优势。

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