TI推出业内电阻的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

发布于：2016/7/19 0:00:00 | 638 次阅读

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    德州仪器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。如需了解更多信息与样品，敬请访问www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。
    CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持典型的54-mΩ导通电阻(Rdson)，其设计与优化的目的是取代空间受限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。这种微型连接盘网格阵列(LGA)封装的焊盘间距为0.5-mm，易于安装。请阅读博客文章了解更多信息：“借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的工业元件占位面积”。
    CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET^TM技术方案组合的新成员，拥有高电压及生产友好型占位面积。请下载设计综述，了解有关LGA封装的详细信息。
    CSD18541F5主要特点和优势
    10-V栅源 (VGS)的超低54-mΩ Rdson比传统60-V负载开关减小90%，使功耗得以降低。
    超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA封装比SOT-23封装中的传统负载开关尺寸减小80%，使印刷电路板 (PCB) 的空间得以降低。
    生产友好型0.5-mm焊盘间距。
    集成静电放电(ESD)保护二极管可防止MOSFET栅过压。
    封装和供货
    CSD18541F5内置于3针LGA封装，目前可由TI及其授权分销商批量供货（单位数量1,000）。请下载PSpice瞬态模型。
    关于TI的NexFET功率MOSFET
    TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的的DC/DC电源转换解决方案。

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