发布于：2017/5/17 0:00:00 | 643 次阅读
RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司推出UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求，宽频范围可达9kHz~8GHz，并配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。派更半导体推出的全新高掷数射频开关具有低插入损耗、高隔离度、一流线性度，及快速开关时间与安定时间等特征，拥有业内的高掷数配置性能规格与灵活性。UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512是滤波器组切换及信号发射/接收（T/R）路径切换等测试与测量应用程序的理想选择。
派更半导体公司销售副总裁Colin Hunt表示：“派更半导体推出的全新SP6T、SP8T和SP12T开关实现了无可比拟的高掷数配置灵活性与高性能。基于较宽的频段范围及外接VSS脚，我们的团队对PE42562、PE42582和PE42512进行了优化，使其能够满足测试与测量市场的独特需求。测试与测量工程师们可借助这些高掷数开关，使自己的设计兼具高性能、可靠性与灵活性。”
这些高掷数开关产品具有一种先进的功能，即镜像端口选择功能，可通过单一控制总线实现射频路径同步选择。在双开关配置中，可使用两只高掷数开关，而无需使用多只单刀双掷（SPDT）开关。只需将一只开关的逻辑选择（LS）脚接地，第二只开关的LS脚“留空”，即可激活镜像端口选择功能。这一简化布局（一个逻辑控制信号同时发送至两只开关）可大大节省电路板空间和布局时间。了解镜像端口选择功能的更多信息，请登陆派更半导体公司网站下载“应用说明68：双开关配置中的同步路径选择”（Application Note 68: Simultaneous Path Selection in a Dual-switch Configuration）。
产品特性、封装、价格及供货
UltraCMOS PE42562（SP6T）、PE42582（SP8T）及PE42512（SP12T）开关适用于测试与测量应用程序，可覆盖9 kHz至8 GHz的频段范围。这些吸收性开关配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。这些高度灵活的开关在整个频段范围内都具有极高的端口间隔离度及较低的插入损耗。每只高掷数开关的高线性度可达60 dBm IIP3，连续波（CW）功率处理能力高达33 dBm，快速开关时间仅为200纳秒以内，并可实现快速的安定时间。
PE42562和PE42582均采用24引脚4x4 mm QFN封装，PE42512则采用32引脚5x5 mm QFN封装。样片与评估工具现已上市，量产零件将于3月底上市。订购1万片的价格为每只PE42562（SP6T）开关4.99美元，每只PE42582（SP8T）开关5.87美元，每只PE42512（SP12T）开关10.28美元。
除这三种高掷数开关外，派更半导体还推出用于无线基础设施和目录市场以及扩展温度范围应用程序的具有卓越性能的高掷数射频开关。请访问派更半导体网站的新闻网页（https://www.psemi.com/newsroom）阅读相关新闻稿，并获取有关产品的视频与影像。
| 特性 | PE42562 | PE42582 | PE42512 |
| 配置 | SP6T | SP8T | SP12T |
| 宽频范围 | 9 kHz—8 GHz | ||
| 在6 GHz时的高隔离度 | 35 dB | 41 dB | 39 dB |
| 在6 GHz时的低插入损耗 | 1.1 dB | 1.3 dB | |
| 高线性度 | 105 dBm IIP2，60 dBm IIP3 | ||
| 连续波功率处理 | 33 dBm | ||
| 快速开关时间 | 210纳秒 | 227纳秒 | 232纳秒 |
| 快速安定时间 | 560纳秒 | 870纳秒 | |
| 封装 | 24引脚 4x4 mm QFN | 32引脚 5x5 mm QFN | |
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发布于：2022-10-12
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