Toshiba东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2022-02-11 17:30:23 | 557 次阅读

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

    这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si)IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

    应用:

    -      用于轨道车辆的逆变器和转换器

    -      可再生能源发电系统

    -      电机控制设备

    -      高频DC-DC转换器

    特性:

    -      安装方式兼容Si IGBT模块

    -      损耗低于Si IGBT模块

    MG600Q2YMS3

    VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25℃

    Eon=25mJ(典型值),Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V,ID=600A,Tch=150℃

    MG400V2YMS3

    VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25℃

    Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150℃

    -      内置NTC热敏电阻

    ?主要规格:

    (除非另有说明,@Tc=25℃)

    器件型号

    MG600Q2YMS3

    MG400V2YMS3

    封装

    2-153A1A

    jue对很大额定值

    漏极-源极电压VDSS(V)

    1200

    1700

    栅极-源极电压VGSS(V)

     25/-10

     25/-10

    漏极电流(直流)ID(A)

    600

    400

    漏极电流(脉冲)IDP(A)

    1200

    800

    结温Tch(℃)

    150

    150

    隔离电压Visol(Vrms)

    4000

    4000

    电气特性

    漏极-源极导通电压(感应)

    VDS(on)sense典型值(V)

    @VGS= 20V,

    Tch=25℃

    0.9

    @ID=600A

    0.8

    @ID=400A

    源极-漏极导通电压(感应)

    VSD(on)sense典型值(V)

    @VGS= 20V,

    Tch=25℃

    0.8

    @IS=600A

    0.8

    @IS=400A

    源极-漏极关断电压(感应)

    VSD(off)sense典型值(V)

    @VGS=-6V,

    Tch=25℃

    1.6

    @IS=600A

    1.6

    @IS=400A

    开通损耗

    Eon典型值(mJ)

    @Tch=150℃

    25

    @VDS=600V,

    ID=600A

    28

    @VDS=900V,

    ID=400A

    关断损耗

    Eoff典型值(mJ)

    @Tch=150℃

    28

    @VDS=600V,

    ID=600A

    27

    @VDS=900V,

    ID=400A

    热敏电阻特性

    额定NTC电阻 R典型值(kΩ)

    5.0

    5.0

    NTC B值 B典型值(K)

    @TNTC=25℃-150℃

    3375

    3375


关键词:Toshiba

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