类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2022-02-11 17:30:23 | 557 次阅读
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si)IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
应用:
- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC转换器
特性:
- 安装方式兼容Si IGBT模块
- 损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25℃
Eon=25mJ(典型值),Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V,ID=600A,Tch=150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25℃
Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150℃
- 内置NTC热敏电阻
?主要规格:
(除非另有说明,@Tc=25℃)
器件型号
MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3
封装
2-153A1A
jue对很大额定值
漏极-源极电压VDSS(V)
1200
1700
栅极-源极电压VGSS(V)
25/-10
25/-10
漏极电流(直流)ID(A)
600
400
漏极电流(脉冲)IDP(A)
1200
800
结温Tch(℃)
150
150
隔离电压Visol(Vrms)
4000
4000
电气特性
漏极-源极导通电压(感应)
VDS(on)sense典型值(V)
@VGS= 20V,
Tch=25℃
0.9
@ID=600A
0.8
@ID=400A
源极-漏极导通电压(感应)
VSD(on)sense典型值(V)
@VGS= 20V,
Tch=25℃
0.8
@IS=600A
0.8
@IS=400A
源极-漏极关断电压(感应)
VSD(off)sense典型值(V)
@VGS=-6V,
Tch=25℃
1.6
@IS=600A
1.6
@IS=400A
开通损耗
Eon典型值(mJ)
@Tch=150℃
25
@VDS=600V,
ID=600A
28
@VDS=900V,
ID=400A
关断损耗
Eoff典型值(mJ)
@Tch=150℃
28
@VDS=600V,
ID=600A
27
@VDS=900V,
ID=400A
热敏电阻特性
额定NTC电阻 R典型值(kΩ)
5.0
5.0
NTC B值 B典型值(K)
@TNTC=25℃-150℃
3375
3375
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