根据外媒报道，美光科技与英特尔等其他领先的人工智能 (AI) 半导体公司一起，加大了挑战行业领跑者的力度。12月24日，据半导体行业消息人士透露，全球第三大DRAM制造商美光目前正在对其开发的HBM3E进行主要客户的质量评估。
高带宽内存（HBM）是人工智能服务器中使用的一种 DRAM，其特点是堆叠多种类型的 DRAM 以增强数据处理能力和速度。目前由三星电子和 SK 海力士主导的全球 HBM 市场预计将从今年的约 2.5 万亿韩元增长到 2028 年的约 8 万亿韩元。
美光科技预计 2023 年市场份额约为 5%，位居第三。该公司对其下一代产品 HBM3E 下了很大的赌注，以缩小与领先者的差距。美光执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“我们正处于为 Nvidia 下一代 AI 加速器提供 HBM3E 的验证的阶段。”
HBM和GPU捆绑在一起的AI加速器市场也面临着激烈的竞争。人工智能加速器是专门用于大规模数据训练和推理的半导体，被认为在生成人工智能时代至关重要。
英特尔正在这一领域做出巨大努力。12月14日，英特尔推出了Gaudi3下一代AI加速器原型机，其速度较前代产品提升至4倍，HBM提升1.5倍。英特尔执行官帕特·基辛格(Pat Gelsinger)一直公开批评人工智能加速器领域的英伟达，他表示：“随着数据推理[服务]的重要性不断增长，英伟达专注于数据训练的时代也将结束。”
各个AI半导体领域的第三名逆袭是由市场的增长潜力驱动的。据AMD称，AI加速器市场目前价值300亿美元，预计到2027年将扩大到1500亿美元。HBM市场预计未来五年每年将以50%的速度增长。
客户想要检查领先公司的主导地位的愿望也刺激了新参与者积极进入市场。例如，微软等主要人工智能加速器市场参与者正在敦促 AMD 和英特尔等公司开发 Nvidia 的替代品。在 HBM 市场，一位客户已预付款 6 亿美元支持美光的新产品开发。
市场正致力于通过新产品扩大领先地位。在HBM市场，三星电子和SK海力士正在开发第六代HBM——HBM4，预计将采用“混合键合”技术，在减小尺寸的同时提高容量。Nvidia 正在开发“X100”人工智能加速器，预计将于 2025 年发布，这将使内存使用量提高到 400 GB。
