发布于：2012/2/8 14:16:11 | 367 次阅读
近日消息，据外媒报道，的半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。
这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开发的技术，有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅（Si）的现有功率器件相比，其功耗大约降低了40%。
最近，为了促进环境保护，很多客户对高效能电源电路的需求日益增长。空调、通信基站、PC服务器和太阳能阵列等使用电源转换电路或逆变电路的产品，对更高效的电源转换有着特别强劲的需求。因此，这些电源转换电路中所用的二极管需要提供更快的转换速度，并可以低压工作。于是，瑞萨开发了这款全新SiC SBD来满足上述需求。
这款全新SiC-SBD的额定电压（正向降压，VF）仅1.5伏（V），低于现有的硅快速触发二极管产品的额定电压。此外，该SiC-SBD的温度依赖性较小，可确保获得稳定的正向电压--即使在高温条件下。这意味着可使用更紧凑的散热设计，以降低成本，并减小产品体积。
这款全新RJS6005TDPP SiC-SBD应用相当于工业标准的TO-220封装，并可实现引脚兼容。这意味着RJS6005TDPP SiC SBD可轻松地用于替代现有印刷电路板上传统的硅二极管。
瑞萨电子全新功率器件的产品阵容颇为强大，电流从3A至30 A不等，额定峰值电压为600 V，这些功率器件专用于满足空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统对高效能的需求，同时，计划推出额定峰值电压为1200 V的产品系列。瑞萨努力为客户提供结合MCU和模拟及功率器件的整体解决方案，矢志成为的功率器件供应商。瑞萨计划增强套件解决方案和复合半导体器件，以全新高压SiC-SBD功率器件为，并辅以外围电源控制IC、高性能IGBT、高压超结MOSFET和光电耦合器。
RJS6005TDPP的主要特性：
更快的转换速度，其损耗较之现有产品降低了40%。全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢复时间（注2）为15纳秒（标准值：测量条件IF = 15 A，di/dt = 300 A/?s），与现有瑞萨硅电子产品相比，其速度快了大约40%。这可以实现更快的转换速度，与瑞萨硅基产品相比降低了大约40%的功耗。此外，当温度升高时，反向恢复时间不会降低，从而在高温环境下工作时可实现始终如一的低转换损耗。
定价与供货：
瑞萨全新RJS6005TDPP SiC SBD的样品现已上市，单价为5美元。瑞萨计划在2012年3月开始批量生产，预计在2012年8月的月产量达到10万件
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发布于：2022-10-12
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